晶粒（chip、die）、器件（device）、電路（circuit）、微芯片（microchip）或條碼（bar）：下圖中可以看到，很多四邊形都聚集在圓形晶圓上，所有這些名詞指的都是這些四邊形代表的微芯片圖形。將測試合格的die切割下來，做封裝后就成為芯片，***個芯片封裝***個die稱為單封，封裝兩個或兩個以上的die稱為合封。

• 工程實驗片（engineering die）和測試晶粒（test die）：這些晶粒與正式晶粒或電路晶粒不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于晶圓生產工藝的電性測試；

  
  

  

  
  

• 晶圓的晶面（wafer crystal plane）：圖中的剖面標示了器件下面的晶格構造，此圖中顯示的器件邊緣與晶格構造的方向是確定的；

• 以***個中規模(MSI)/雙極型集成電路（IC）的顯微照片為例。中芯片的特性是:

  ②.電路的特定編號
  ④.壓焊點上的***小塊污染物
  ⑥.劃片線(芯片間的分割線)
  ⑧.掩模版對準標記
  

  三、晶圓制造的基本流程

  

  1.薄膜工藝我們知道在比人類的“指甲蓋”還小、像紙***樣薄的半導體芯片上有著細小的、數以“百萬計”的層 (layer)。就像高樓大廈***樣高而堅固地堆疊起來, 構成復雜的結構。薄膜分類、工藝及材料分類

  
  

  圖形化工藝是所有工藝中***關鍵的，圖形化工藝確定了器件的關鍵尺寸。圖形化工藝過程中的錯誤可能造成圖形歪曲或套準不好，***終影響器件性能。圖形化工藝在現代晶圓中要完成30層或更多，制程中的污染物會造成缺陷，缺陷也會影響器件性能。

  電路設計是生產芯片整個過程的第***步，電路設計由布局和設計電路上***塊塊的功能電路圖開始，比如邏輯功能圖。這個邏輯設計了電路要求的主要功能和運算，設計人員將邏輯功能轉化為電路圖，電路圖標出了各種電路元件的數量和連接關系，每***個元件在圖上由符號表示，附在電路圖上的是電路運行必需的電參數（電壓、電流、電阻等）。

  

  電路的工作運行與很多因素相關，包括材料電阻率，材料物理特性和元件的物理尺寸。另外的因素是各個元件之間的相對定位關系。所有這些要考慮的因素決定了元件、器件、電路的物理布局和尺寸。線路圖設計使用專用的軟件將電路元件轉為具體的圖形和尺寸。制造集成電路和蓋樓房同樣需要***層***層的建，因此必須將電路的復合圖分解為每層的設計圖，每層的圖形是數字化的（數字化使圖形轉換為數據庫）并由計算機處理的X-Y坐標的設計圖。

  

  光刻工藝用于晶圓表面和內部產生需要的圖形和尺寸。光刻母版是在玻璃或石英板的鍍薄膜鉻層上生成分層設計電路圖的復制圖。電子束曝光系統跳過母版或掩膜版，直接在晶圓上曝光。光刻母版和掩膜版由工廠單獨的部門制造或從外部供應商購買，每個電路類型都有自己分別的光刻母版或掩膜版。

  

  

  3.摻雜工藝摻雜是將特定量的雜質通過薄膜開口引入晶圓表層的工藝過程，其本質是在晶圓上制作P、N結。它有兩種工藝方法：熱擴散（thermal diffusion）和離子注入（ion implantation）。熱擴散是在1000℃左右的高溫下發生的反應，氣態下的摻雜原子通過擴散化學反應遷移到暴露的晶圓表面，形成***層薄膜，在芯片應用中，熱擴散也稱為固態擴散，因為晶圓材料是固態的。擴散摻雜是***個化反應過程，由物理規律支配雜質的擴散運動。離子注入是***個物理過程，在離子源的***端，摻雜體原子被離子化（帶有***定的電荷），被電場加到超高速，穿過晶圓表面，注入到晶圓表層中。

  
  
  

  在離子注入制程后會有***個重要的熱處理。摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會被熱處理修復，這被稱為退火（anneal），溫度在1000℃左右。金屬導線制成后為了確保良好的導電性，金屬會在450℃熱處理后與晶圓表面緊密熔合。熱處理的第三種重要用途是通過加熱在晶圓表面的光刻膠將溶劑蒸發掉，從而得到精確的圖形。

  

  芯片制備完成后，絕大部分芯片都會被傳送到第4個制造階段-封裝（packaging），封裝過程中，晶圓被分成許多小芯片，合格的芯片被封裝在***個保護殼內，也有***些芯無需封裝直接合成到電子系統中。
  

(文章來源于儀器網)